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台积电RRAM技术引入英飞凌汽车MCU

来源: | 发布日期:2022-12-01 浏览量:

11月25日,英飞凌和台积电宣布,两家公司正准备将台积电的电阻式RAM非易失性存储器技术引入英飞凌的下一代AURIX™微控制器,并将在台积电的28纳米节点上制造。

自第一个发动机管理系统问世以来,嵌入式闪存微控制器一直是汽车电子控制单元的主要构建块。目前,市场上大多数MCU系列都基于嵌入式闪存技术技术。而RRAM是嵌入式存储器的下一步,可以进一步扩展到28纳米及以上。

英飞凌AURIX TC4x MCU系列将性能扩展与虚拟化、安全和网络功能的最新趋势相结合,以支持下一代软件定义的车辆和新的E/E架构。

据介绍,基于台积电RRAM技术的AURIX微控制器,可提供更高的抗扰度,并允许按位写入而无需擦除,从而实现优于嵌入式闪存的性能。其耐用性和数据保留性能与闪存技术相当。

英飞凌认为,与台积电的合作成功奠定了RRAM在汽车领域的基础,并使其Autrix系列微控制器具有更广泛的供应基础。

基于台积电RRAM技术的AURIX TC4x通过提高ASIL-D性能、人工智能功能和最新的网络接口进一步扩大了这一成功。

2018年,台积电开始量产汽车用40纳米eFlash技术,但其40纳米超低功耗嵌入式RRAM技术,完全兼容CMOS工艺,已于2017年底进入风险生产。

2021年,台积电代工厂的40纳米RRAM技术成功进入量产,28纳米和22纳米节点也可作为物联网市场的低成本解决方案。

据悉,英飞凌已经将基于台积电28纳米eFlash技术的AURIX TC4x系列样品运送给主要客户,而基于28纳米RRAM技术的首批样品将于2023年底提供给客户





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