台积电3nm性能大缩水：仅比5nm好5%

台积电当前量产最先进的工艺是5nm及改进版的4nm，3nm工艺因为种种原因一直推迟，9月份就说量产了，又说年底量产，不过这个月就算量产，真正放量也要到明年了。

根据台积电之前的消息，3nm节点上至少有5代衍生版工艺，分别是N3、N3P、N3S、N3X及N3E，其中N3工艺是最早量产的，但是这版工艺遭到客户弃用，很大可能就放弃了，明年直接上N3E工艺。

对比N5工艺，N3功耗可降低约25-30％，性能可提升10-15％，晶体管密度提升约70％。

N3E在N3的基础上提升性能、降低功耗、扩大应用范围，对比N5同等性能和密度下功耗降低34％、同等功耗和密度下性能提升18％，或者可以将晶体管密度提升60％，密度上甚至更低了一些。

考虑到近年来摩尔定律一直在放缓，70%左右的密度提升看起来还不错，但这是台积电公布的最好水平，指的是纯逻辑芯片，SRAM缓存的密度就只有20%了，N3E还会更低。

然而20%的提升依然是理论上的美好，台积电之前在IEDM会议上公布了更真实的数据，3nm工艺的SRAM缓存在晶体管密度上只比5nm高出5%，指标大幅缩水。

尽管3nm工艺还有10-15%的性能或者25-30%的功耗改进，但是这些指标显然也是非常理想的情况，实际提升也会跟密度一样存在缩水。

但是3nm晶圆的代工价格上涨是实实在在的，传闻是2万美元一片，约合人民币14万元，比5nm工艺涨价至少25%以上。