南亚科发媒体邀请函12寸新厂于本月动土

近日，台塑集团旗下DRAM大厂南亚科发布媒体邀请函，其南林科技园区新建双层无尘室12英寸厂计划将于6月23日举行动土典礼。而新厂落成量产时间是否维持原来计划，有待典礼当天再宣布。

据南亚科规划，该厂房正式采用南亚科技自主研发的10纳米级制程技术生产DRAM芯片，及规划构建EUV极紫外光微影生产技术，月产能约45,000片芯片，预期直接提供2,000个工作机会，并间接创造产业链数千个就业机会。该厂预估以7年分3阶段投资，计划2021年底动工，2023年底完工，2024年开始第一阶段量产，总投资金额约新台币3,000亿元。

南亚科总经理李培瑛曾指出，新厂预计从第二代10纳米级DRAM制程开始导入，首阶段月产能将达到15000片，3阶段完成后月产能，将达到45000片。新厂南亚科也规划构建EUV极紫外光微影生产技术，也有技术研发中心，最终什么制程导入或什么产品导入，还须视市场需求决定。

此前南亚科从40纳米到20纳米，每年需要向美光科技支付大量专利授权费。近年来积极投入自主技术研发，2020年初开发出10纳米级DRAM新型存储器技术，同时确立下世代10纳米DRAM将采用自主研发技术，不再走授权模式。