ST官宣200mm碳化硅晶圆制造成功

意法半导体7月27日在官微发布公告称，ST位于瑞典北雪平的工厂已经制造出了首批8英寸SiC晶圆片，而下一代电力电子芯片产品，将用这批8英寸晶圆作为原材料。

ST表示，此次SiC晶圆升级到8英寸，标志着产能的扩大，已经能够支持汽车和工业市场的需求，也标志着此前拟定的“实现系统和产品电气化”的计划取得阶段性的突破。

据消息表示，这批SiC晶圆的质量卓越，良品率高，晶体位错的缺陷率影响非常少。除了要能够满足严格的质量标准外，SiC晶圆升级到8英寸还需对制造设备和整体生态系统进行升级更换。据消息透露，ST目前正在积极与上下游技术厂商合作开发自己的制造设备和生产工艺。

据ST官微揭露，目前ST量产的先进碳化硅产品STPOWER SiC是由意大利和新加坡的两家150mm晶圆厂完成前工序制造，而后工序制造是在中国深圳和摩洛哥的两家封测厂完成的。这个阶段性的突破是意法半导体布局更先进的、高成本效益的200mm晶圆量产计划的组成部分。