电力电子器件的新时代

       电力电子元器件进入了第四代—“三高”时代，既高性能化、高智能化、高集成化。高性能化主要包括高电压、大容量、低损耗、快速化和高可靠。如IGBT在未来不久电流可达到2—3KA、电压达到4—6KV，在所有的复合器件中首要的攻克目标就是降低损耗。预计在不久之后IGB、IPM等器件的导通电压可降到1V以下，而电力MOSFET、IBGT、MCT等器件的应用频率将达到千KHz。
       高智能化主要是将电源电路、保护器、PWM控制电路等都集成在一个芯片上制成一个完整的系统智能集成的功率变换器。高集成化主是将驱动器、自动保护器、自诊断功能的IC与电力电子器件集成在一个模块中。由于不同的电子元器件、集成电路的封装或相互连接方式的不同，以及后期寄生数据参数的问题已成为影响电力电子系统性能的关键问题，IPEM为我们提供了一个可以减少设计工作量，提高了系统质量、同时增加了优化了可靠性和可维护性的方法。